Design and Fabrication of A Carbone Nanotube Field Effect Transistor Based on Dielectrophoresis Technique and Low Cost Photolithography
الشريط الجانبي للمقالة
منشور:
Mar 6, 2018
الكلمات المفتاحية:
ترانسستور، كاربون نانوتيوب، فوتوليثوكرافي، تصنيع نانوي
محتوى المقالة الرئيسي
الملخص
في هذا البحث استخدمت تكنولوجيا التصنيع النانوي والمايكروي لبناء واختبار ترانزيستور تاثير المجال باستخدام الكاربون نانو تيوب. تم تم تصنيع الترانسيستور على قاعدة من السليكون\ثاني اوكسيد السليكون واستخدمت تكنولوجيا الفوتوليثوكرافي باستخدام مواد رخيصة الثمن تتمثل بدايود مشع للاشعة فوق البنفسجية وقناع وذلك لعمل التشكيل المطلوب لالكترودات الترانسوستر المصنع. استخدم المبخر الحراري لتبخير مادة النحاس على سطح القاعدة. بعدها استخدمت طريقة الدايلكتروفورسز لسحب الكاربون نانوتيوب نحو الالكترودات ، اختبر الجهاز من الناحية الالكترونية . نتائج الاختبار اثبتت انه من نوع p-type وسببالتي ذلك يعود الى امتصاص جزيئات اوكسجين الجو في منطقة الاختبار من قبل الكاربونانو تيوب. ايضا كانت حركية حاملات الشحنات عالية نسبيا بمقدار 1000 سم2\فولت.ثانية تقريبا.
##plugins.themes.bootstrap3.displayStats.downloads##
##plugins.themes.bootstrap3.displayStats.noStats##
تفاصيل المقالة
كيفية الاقتباس
[1]
"Design and Fabrication of A Carbone Nanotube Field Effect Transistor Based on Dielectrophoresis Technique and Low Cost Photolithography", JUBES, م 26, عدد 5, ص 20–27, 2018, تاريخ الوصول: 24 أبريل، 2025. [مباشر على الإنترنت]. موجود في: https://journalofbabylon.com/index.php/JUBES/article/view/1009
إصدار
القسم
Articles
كيفية الاقتباس
[1]
"Design and Fabrication of A Carbone Nanotube Field Effect Transistor Based on Dielectrophoresis Technique and Low Cost Photolithography", JUBES, م 26, عدد 5, ص 20–27, 2018, تاريخ الوصول: 24 أبريل، 2025. [مباشر على الإنترنت]. موجود في: https://journalofbabylon.com/index.php/JUBES/article/view/1009